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綜合

蓋艷琴

工作單位：中國礦業(yè)大學(xué)

從事領(lǐng)域：凝聚態(tài)物理

擅長(cháng)領(lǐng)域：

畢業(yè)院校：

畢業(yè)院校：

職稱(chēng)：副教授

職稱(chēng)：副教授
詳細內容

蓋艷琴，女， 1980.03，山東煙臺人，中共黨員，中國礦業(yè)大學(xué)材料與物理學(xué)院,副教授, 碩導。
主要從事的研究領(lǐng)域：
（1）寬帶隙半導體摻雜改性的理論研究，包括n,p型摻雜，光催化材料設計；
（2）二維材料基非貴金屬單原子電催化材料理論設計。
主要學(xué)術(shù)成果、學(xué)術(shù)榮譽(yù)：
（1）榮獲 2017 年度國家自然科學(xué)獎二等獎，獲獎的項目名稱(chēng)是“新型半導體深能級摻雜機制研究”（第二完成人）；
（2）江蘇省2018 年青藍工程優(yōu)秀青年骨干教師；
（3）江蘇省“333 高層次人才培養工程”；
（4）榮獲2017年江蘇省高校第十屆基礎物理教師上好一堂課競賽一等獎；
（5）以第一(通訊)作者在 PRL、PRB、APL 等期刊發(fā)表 SCI 論文 10多篇，其中高被引 SCI 論文 1 篇。
從事教學(xué)情況：
講授《大學(xué)物理》、《量子力學(xué)》、《半導體器件原理》、《大學(xué)物理實(shí)驗》等本科生課程。
教育經(jīng)歷：
1999.09-2003.07，魯東大學(xué)，物理學(xué)院，理學(xué)學(xué)士；
2003.09-2006.07，吉林大學(xué)，物理學(xué)院，理學(xué)碩士；
2006.09-2009.07，中科院長(cháng)春光機所、中科院北京半導體所、理學(xué)博士。
工作經(jīng)歷：
2009.07--今，中國礦業(yè)大學(xué)材料與物理學(xué)院教師；
2014.09-2015-06，中國科技大學(xué)安徽微尺度國家實(shí)驗室，訪(fǎng)問(wèn)學(xué)者；
2018.10-2019.10，美國勞倫斯伯克利國家實(shí)驗室，訪(fǎng)問(wèn)學(xué)者。
代表性教學(xué)和科研項目：
[1] 2010.9-2013.9 項目名稱(chēng)：晶格缺陷對ZnO中磁性影響的理論研究，?；究蒲袠I(yè)務(wù)費項目主持（已結題）；
[2] 2011.1-2011.12 項目名稱(chēng)：能帶調控提高ZnOp型摻雜效率的理論研究，國家自然科學(xué)基金-理論物理專(zhuān)款主持（已結題）；
[3] 2012.1-2014.12 項目名稱(chēng)：晶格缺陷對ZnO基d0鐵磁體中所起作用的理論研究，國家自然科學(xué)基金-青年科學(xué)基金主持（已結題）；
[4] 2017.1-2019.12 項目名稱(chēng)：寬帶隙類(lèi)石墨烯材料摻雜改性的應力調控校學(xué)科前沿科學(xué)研究專(zhuān)項面上項目主持（在研）；
[5] 2018.01-2018.12 項目名稱(chēng)：大學(xué)物理“課程思政”示范項目，主持（已結題）。
[6] 2018.07-2020.7項目名稱(chēng):校級教改項目《數值模擬輔助《量子力學(xué)》教學(xué)的探索與研究》主持（在研）。
代表性論文，專(zhuān)著(zhù)：
[1] Y.Q.Gai, J.P.Jiang, Y.X.Wu, et al. Strain Manipulated Magnetic Properties in ZnO and GaN Induced by Cation Vacancy. Journal of Electronic Materials. 45 (2016) 3300-3306.
[2] Y.Q.Gai, J.P.Jiang, Y.X.Wu, et al.Can singly charged oxygen vacancies induce ferromagnetism in biaxial strained ZnO? Physica Scripta. 91(2016) 045801
[3] Y.Q.Gai, J.P.Jiang, Y.X.Wu, et al. Isotropic strains tuned hole-mediated ferromagnetism in nitrogen-doped ZnO. Physics Letters A. 380(2016) 465-469
[4]. Y.Q. Gai, J.B. Li, S.S. Li, et al. Design of Narrow-Gap TiO2: A Passivated Codoping Approach for Enhanced Photoelectrochemical Activity. Physics Review Letter(2009), 102, 036402.
[5]. Y.Q. Gai, J.B. Li, S.S. Li, et al., Design of shallow acceptors in ZnO through novel compensated donor-acceptor complexes: A density functional calculation. Physical Review B，(2009), 80, 153201.
[6]. Y.Q. Gai, H.W. Peng, and J.B. Li, Electronic Properties of Nonstoichiometric PbSe Quantum Dots from First Principles. Journal of Physical Chemistry C(2009), 113 (52): 21506-21511.
[7]. Y. Q. Gai, B. Yao, Z. P. Wei, et al. Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO. Applied Physics Letters, 2008, 92, 062110.